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SiC分类、应用及关键工艺

2023/9/5

碳化硅(SiC)有250种结晶形态，其中4H-SiC的禁带宽度较大、载流子迁移率较高、掺杂剂离化能力较低，是很适合制作功率器件的晶型。根据电阻率不同，SiC衬底可分为导电型和半绝缘型。SiC单晶生长完成后，通过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工可形成SiC衬底片。其中，半绝缘型SiC衬底主要应用于微波射频器件等领域；而导电型SiC衬底主要应用于制造功率器件。

4H-SiC单晶的生长方法有物理气相传输法(PVT法)、高温化学气相沉积法(HTCVD法)和液相法(LPE法)等，以PVT为主流。

时间	PVT	HT-CVD	LPE
晶型	4H&6H	4H&6H	4H&6H
生长温度(°C)	2200-2500	2200	1460-1800
生长(mm/h)	0.2-0.4	0.3-1.0	0.5-2
优点	很成熟、很常用	可持续的原料/可调整参数/一体化设备	类似提拉法
缺点	半绝缘制造困难生长厚度受限缺少一体化设备	速率和缺陷控制	金属杂质，硅溶液碳的溶解度有限

SiC分类、应用及关键工艺

芜湖予秦半导体科技有限公司